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在硅单晶的实际生产中，就晶体中氧浓度而言有人建议采用数种方法，以处理生长期间晶体固化速率或生长长度的问题，所述方法包括对坩埚旋转速度、炉内压力、大气流速、静磁场应用或其数个参数(以下称作操作参数)组合的调整。
可通过调整操作参数来调整晶体内的氧浓度。为达成此目的，晶体需上拉多次才能得到晶体内氧浓度的数据与操作参数各种变化结果之间的关系，并且需要确定晶体生长期间对操作参数的调整步骤。但是，如果晶体的质量标准改变、晶体生长炉更换、炉内诸如绝缘及加热器等组件改变、原料熔融量增加，即使无前述的情形，如果炉体老化或由于炉件退化而加热环境改变所引起炉内温度环境改变，那么对元件退化、产品变质因素而言，令人恼火的操作参数的调整运作仍需重复数次。
另外，硅单晶由8英寸扩增至12英寸大小涉及炉体的按比例扩增，因而导致成本及为调整硅单晶内氧浓度所需上拉晶体的次数指数级增加。因此，传统的尝试及误差法对新质量标准及操作环境的变化所产生的适应性及应用性均非常差。
